編號：CYYJ04008
篇名：碳納米管場效應(yīng)晶體管重離子單粒子效應(yīng)研究
作者：翟培卓 王印權(quán) 徐何軍 鄭若成 朱少立
關(guān)鍵詞： 碳納米管 場效應(yīng)管 重離子 單粒子效應(yīng)
機構(gòu)： 中國電子科技集團公司第五十八研究所
摘要： 碳納米管場效應(yīng)晶體管(CNT FET)具備優(yōu)良的電學性能和穩(wěn)定的化學結(jié)構(gòu),表現(xiàn)出較強的惡劣環(huán)境耐受能力,但其抗輻射性能仍缺乏充足的試驗驗證。以超薄CNT為溝道材料、HfO2為柵介質(zhì)層的CNT FET為對象,研究了209Bi重離子輻射引起的器件單粒子效應(yīng)(SEE)。研究結(jié)果表明,在重離子輻射條件下,柵極單粒子瞬態(tài)電流大多處于10-11 A數(shù)量級,少數(shù)達10-10 A數(shù)量級;由于CNT FET具有納米級超薄CNT溝道,漏極電流對單粒子輻射不敏感,漏極單粒子瞬態(tài)電流幾乎可以忽略,無單粒子燒毀效應(yīng)(SEB);得益于HfO2柵介質(zhì)層,CNT FET未發(fā)生單粒子柵穿效應(yīng)(SEGR),表現(xiàn)出較強的抗單粒子能力。
