編號：CYYJ03946
篇名：基于硅/二維層狀材料異質(zhì)結的紅外光電探測器研究進展
作者：賀亦菲 楊德仁 皮孝東
關鍵詞： 硅 二維層狀材料 異質(zhì)結 紅外光電探測器
機構： 浙江大學材料科學與工程學院硅材料國家重點實驗室 浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心
摘要： 紅外光是一種頻率介于微波和可見光范圍之間的電磁波,在光通信、人工智能、醫(yī)用治療、軍事探測和航空航天等領域具有廣泛的應用。硅的帶隙為1.12 eV,導致硅基光電探測器的截止波長短(約1.1 mm)。近年來,研究發(fā)現(xiàn)了新型二維層狀材料,它們具有帶隙可調(diào)、載流子遷移率高、光譜響應寬、暗電流低、穩(wěn)定性高以及制備工藝與互補金屬氧化物半導體(Complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工藝兼容等諸多優(yōu)點,引起了研究人員的廣泛關注。通過將硅與二維層狀材料結合,能夠有效地將硅基光電探測器的探測波段向波長超過1.1 mm的紅外光波段拓展。本文著重介紹了近年來可探測波長超過傳統(tǒng)硅光電探測器的基于硅/二維層狀材料異質(zhì)結的光電探測器在近紅外和中紅外光波段的研究進展并展望了其發(fā)展前景。
