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        等離子體活性燒結(jié)納米碳化硅涂層的實驗研究

        編號:NMJS00731

        篇名:等離子體活性燒結(jié)納米碳化硅涂層的實驗研究

        作者:黃河激; 付志強; 潘文霞; 吳承康;

        關(guān)鍵詞:減壓等離子體活性燒結(jié); 碳化硅涂層; 高速沉積;

        機構(gòu): 中國力學(xué)學(xué)會、中國科學(xué)院高超聲速科技中心、中國科學(xué)院力學(xué)研究所

        摘要: 利用減壓等離子體活性燒結(jié)制備了碳化硅涂層。研究了不同等離子體氣流流量、真空室壓力、電源功率、基板距離等工藝參數(shù)組合對涂層質(zhì)量的影響規(guī)律。通過正交實驗確定了優(yōu)化工藝參數(shù)組合,在Φ50mm以及50×50mm的較大石墨基板上獲得了厚度和成分均勻,結(jié)合良好的SiC涂層。沉積速率高達20μm/min。利用小型電弧等離子體風(fēng)洞對制備的涂層進行了燒蝕實驗,結(jié)果表明所制備的涂層在有氧高溫高速氣流環(huán)境下無剝落,可有效保護基體石墨。

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