編號：NMJS08992
篇名：硅納米線的制備及其生長條件探究
作者：丁本遠(yuǎn) 吳鋰 姚楚君 李樂群 劉煜 吳嘉達(dá) 許寧 孫劍
關(guān)鍵詞： 硅納米線 退火 藍(lán)紫發(fā)光 固-液-固生長
機(jī)構(gòu)： 復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院 復(fù)旦大學(xué)義烏研究院 西安電子科技大學(xué)光電工程學(xué)院
摘要： Si納米材料自問世以來便受到研究者的重視,其不同于宏觀塊體材料的特殊性質(zhì)可使其應(yīng)用于各個領(lǐng)域。如何制備形貌較好且具有良好光電性能的納米材料是在納米材料應(yīng)用前必須解決的問題。以Ni膜作為催化劑直接在Si襯底上制備了密集的Si納米線,獲得了Si納米線較強(qiáng)的藍(lán)紫波段的發(fā)光,研究了退火溫度、退火氣氛N2流速、Si膜厚度等制備條件對Si納米線形貌、光致發(fā)光強(qiáng)度的影響,并討論了雙層膜制備Si納米線形成和生長機(jī)理。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,退火溫度、N2流速對Si納米線的生長起到關(guān)鍵性的作用,N2流速能夠影響Si納米線的光致發(fā)光強(qiáng)度,且較大的N2流速能夠使Si納米線定向生長。而在Ni膜催化劑上預(yù)沉積一層適當(dāng)厚度的Si膜也有助于Si納米線的生長,且有效改善了Si納米線的光致發(fā)光強(qiáng)度。
