編號(hào)：CYYJ03890
篇名：二維MoSi2N4/WSe2異質(zhì)結(jié)的第一性原理研究
作者：梁前 謝泉
關(guān)鍵詞： MoSi2N4 WSe2
機(jī)構(gòu)： 貴州大學(xué)大數(shù)據(jù)與信息工程學(xué)院新型光電子材料與技術(shù)研究所
摘要： 實(shí)驗(yàn)上新合成的MoSi2N4(MSN)由于其獨(dú)特的七原子層結(jié)構(gòu)和電子特性引起了人們的廣泛關(guān)注.本文搭建了一種由二維MSN與二維WSe2(WS)垂直堆垛而成的二維MSN/WS異質(zhì)結(jié)并基于第一性原理計(jì)算對(duì)其電子性質(zhì)進(jìn)行了計(jì)算,其表現(xiàn)出直接間隙半導(dǎo)體和I型能帶排列的特性,具有1.46 eV的帶隙.在異質(zhì)結(jié)界面處存在一個(gè)由電荷耗盡層MSN指向電荷積累層WS微弱的內(nèi)建電場(chǎng).最后,通過(guò)施加雙軸應(yīng)變對(duì)二維MSN/WS異質(zhì)結(jié)進(jìn)行調(diào)控.發(fā)現(xiàn)在正雙軸應(yīng)變的作用下,MSN/WS異質(zhì)結(jié)保持了原來(lái)直接帶隙半導(dǎo)體和I型能帶排列特性;在負(fù)雙軸應(yīng)變作用下,MSN/WS異質(zhì)結(jié)由原來(lái)的直接帶隙半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變?yōu)殚g接帶隙半導(dǎo)體,當(dāng)施加的負(fù)雙軸應(yīng)變達(dá)到-6%與-8%時(shí),I型能帶排列轉(zhuǎn)變?yōu)棰蛐湍軒帕小?/p>
