編號：FTJS10186
篇名：雙源氣相沉積法制備Si/CsPbBr3光電探測器
作者：吳成云 程晨 劉雨杭 張彥
關(guān)鍵詞： 光電探測器 CsPbBr3薄膜 雙源氣相沉積 鈣鈦礦 異質(zhì)結(jié)
機構(gòu)： 合肥工業(yè)大學微電子學院
摘要： 全無機鈣鈦礦CsPbBr3薄膜具有優(yōu)異的光電特性,探索其新的制備工藝并與Si集成實現(xiàn)良好的光電探測具有重要意義。通過雙源氣相沉積在Si襯底上制備了CsPbBr3薄膜,并研究了CsPbBr3薄膜的光學吸收、物相組成、形貌結(jié)構(gòu)等性質(zhì),在此基礎(chǔ)上構(gòu)建了Si/CsPbBr3異質(zhì)結(jié)光電探測器,并對器件性能進行了表征。得益于氣相法沉積的高質(zhì)量CsPbBr3薄膜,以及Si和CsPbBr3對光的協(xié)同吸收,Si/CsPbBr3異質(zhì)結(jié)光電探測器能夠?qū)崿F(xiàn)300~1100 nm的寬光譜范圍探測,并表現(xiàn)出了良好的光電響應。在532 nm光照下,器件的響應度和比探測率分別為24.85 mA/W和1.01×1011Jones。此外,器件的響應時間為260/211μs,能實現(xiàn)快速的光響應。這項工作為硅基鈣鈦礦光電器件的制備與應用提供了新的機會。
