編號(hào)：NMJS00702
篇名：溶劑熱合成CuInS_2納米粉體及薄膜的制備
作者：鄒正光; 陳壁滔; 龍飛; 謝春艷; 聶小明;
關(guān)鍵詞：溶劑熱; CuInS2; 納米粉體;
機(jī)構(gòu)： 桂林理工大學(xué)有色金屬材料及加工新技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
摘要： 本文以氯化銅、氯化銦、硫脲為原料,以乙二醇為溶劑,采用溶劑熱法在常壓下合成了片狀的CuInS2(C IS)納米粉體。研究了合成溫度、合成時(shí)間、溶液濃度對(duì)合成產(chǎn)物C IS物相和形貌的影響。采用涂覆工藝對(duì)粉體成膜,研究了熱處理對(duì)C IS薄膜的影響。采用X射線(xiàn)衍射(XRD)、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FESEM)及能譜儀(EDS)對(duì)合成產(chǎn)物進(jìn)行了分析表征。研究結(jié)果表明:隨著合成溫度的升高和合成時(shí)間的延長(zhǎng),合成粉體的純度提高。隨著溶液濃度的增大,衍射峰出現(xiàn)寬化現(xiàn)象,合成粉體的粒徑變小。在合成溫度為195℃,保溫時(shí)間為12 h,反應(yīng)溶液濃度為氯化銅0.02 mol/L、氯化銦0.02 mol/L、硫脲0.04 mol/L的條件下,制備得到單一的C IS片狀納米粉體,片狀顆粒的大小為200~500 nm,最終經(jīng)過(guò)熱處理能獲厚度在5~8μm左右的相對(duì)致密的C IS薄膜。
