編號:CYYJ03585
篇名:GaN晶片電化學腐蝕表面摩擦磨損特性
作者:嚴杰文 閻秋生 潘繼生
關(guān)鍵詞: GaN晶片 電化學 腐蝕 摩擦磨損 摩擦因數(shù) 微觀形貌
機構(gòu): 廣東工業(yè)大學機電工程學院 廣州計量檢測技術(shù)研究院
摘要: GaN晶片是化學性質(zhì)穩(wěn)定的半導體材料,電化學作用可以有效地腐蝕GaN晶片表面,通過選擇不同的電化學腐蝕電解質(zhì)溶液和不同的腐蝕電位,可以調(diào)控晶片表面的電化學腐蝕效果。為了更好地理解電化學機械拋光對GaN晶片表面的材料去除機理,研究了電化學腐蝕的GaN晶片表面的磨損特性。將4英寸GaN晶片激光切割成10 mm×10 mm的正方形尺寸利用平面磨床將Ga晶片表面均勻研磨至相同的表面粗糙度,然后將研磨后的GaN晶片在不同的電化學腐蝕條件下進行電化學腐蝕。腐蝕實驗中,電解液(NaOHNa2S2O8H3PO4)選取腐蝕電位(10 V20 V30 V)進行GaN表面的電化學腐蝕.