編號(hào)：NMJS00685
篇名：硅基VO_2納米薄膜光致絕緣體—金屬相變的THz時(shí)域頻譜研究
作者：王昌雷; 田震; 邢岐榮; 谷建強(qiáng); 劉豐; 胡明列; 柴路; 王清月;
關(guān)鍵詞：二氧化釩; 光致相變; Drude模型; THz時(shí)域頻譜技術(shù);
機(jī)構(gòu)： 天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院; 超快激光研究室; THz中心;
摘要： 利用THz時(shí)域頻譜技術(shù)(THz-TDS)研究了硅基二氧化釩(VO2)納米薄膜的光致絕緣體—金屬相變特性.在連續(xù)光激發(fā)下前后,觀察到了非常明顯的THz透過(guò)率變化,并通過(guò)薄膜近似計(jì)算出了THz波段金屬態(tài)VO2薄膜的電導(dǎo)率.根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果建立了金屬態(tài)VO2薄膜的等效Drude模型,得到了復(fù)電導(dǎo)率,復(fù)電容率以及復(fù)折射率等相關(guān)的基本參數(shù),并通過(guò)基于時(shí)域有限積分法模擬了THz波穿透硅基金屬態(tài)VO2薄膜的過(guò)程,驗(yàn)證了所建立的模型的正確性,為研究VO2薄膜的相變特性以及VO2薄膜在THz波段的應(yīng)用提供了參考.
