編號：CYYJ03537
篇名：硫摻雜銻化鎵的電子結(jié)構和電學性質(zhì)
作者：康超
關鍵詞： 第一性原理 GASB 摻雜 電子結(jié)構
機構： 江西科技師范大學
摘要： 銻化鎵(GaSb)因其具有高電子遷移率和低功耗等特點受到關注,但由于該材料存在大量的受主缺陷使其在應用上受到一定限制。因此,研究GaSb中的缺陷物理以改善材料性能顯得尤為重要。運用基于密度泛函理論框架下的第一性原理計算方法,研究了含本征缺陷GaSb及S摻雜GaSb(001)表面的電子結(jié)構和電學特性。計算結(jié)果表明,GaSb缺陷是GaSb中主要的受主缺陷,S原子傾向于分布在近表面區(qū)域,隨著S摻雜濃度增加,材料的導電屬性發(fā)生明顯的改變。研究結(jié)果有助于理解S摻雜對GaSb電導率的影響,并為GaSb基半導體的設計提供理論指導。
