編號：NMJS08724
篇名：混合反溶劑法制備CsCu2I3納米晶薄膜及其發(fā)光器件應(yīng)用
作者：姬心震 馬壯壯 田世超 賈陌塵 陳旭 史志鋒
關(guān)鍵詞： CsCu2I3 納米晶薄膜 反溶劑 黃光LED
機(jī)構(gòu)： 鄭州大學(xué)物理學(xué)院材料物理教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 河南超威光電科技有限公司
摘要： 近年來,新興的三元銅基鹵化物(CsCu2I3)材料由于具有高熒光量子產(chǎn)率、環(huán)保無毒、環(huán)境穩(wěn)定、成本低廉等諸多優(yōu)點(diǎn),在環(huán)保型發(fā)光二極管(LED)中的應(yīng)用備受矚目。然而,由于難以控制的結(jié)晶動力學(xué),制備高質(zhì)量的CsCu2I3發(fā)光層薄膜仍是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn),這限制了LED器件性能的進(jìn)一步提升。本文通過使用甲苯與甲醇混合溶劑作為反溶劑來增強(qiáng)反溶劑的釘扎效應(yīng),增加CsCu2I3晶體的成核密度,降低薄膜的晶粒尺寸,進(jìn)而形成了光滑、致密的CsCu2I3納米晶薄膜。此外,混合反溶劑策略可以有效增強(qiáng)輻射復(fù)合效率,顯著提高Cs-Cu2I3薄膜的發(fā)光性能,相比對照樣品(只使用甲苯),混合反溶劑法所制備薄膜的熒光量子產(chǎn)率(PLQY)增加了1.5倍,激子束縛能從~201.6 meV提高至~234.5 meV。最終,相比對照器件,基于混合反溶劑策略的CsCu2I3基LED的最大亮度和最高外量子效率分別提高了5.5倍和1.6倍。本工作的研究結(jié)果不僅有助于加深對CsCu2I3薄膜制備過程中結(jié)晶規(guī)律的理解,而且有助于進(jìn)一步推動基于CsCu2I3環(huán)境友好型LED器件性能的提升。
