編號(hào)：FTJS09781
篇名：利用干燥空氣改善熔融KOH對(duì)單晶碳化硅的腐蝕
作者：孫帥 宋華平 楊軍偉 王文軍 屈紅霞 簡(jiǎn)基康
關(guān)鍵詞： 碳化硅 腐蝕 位錯(cuò) 缺陷表征 鼓泡器 腐蝕速率
機(jī)構(gòu)： 廣東工業(yè)大學(xué)物理與光電工程學(xué)院 松山湖材料實(shí)驗(yàn)室 中國(guó)科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心
摘要： 本文提出了一種改進(jìn)的氫氧化鉀(KOH)腐蝕方法,該方法利用鼓泡器將干燥空氣直接通入熔融KOH中,以達(dá)到快速排出熔融KOH中水分和增強(qiáng)溶解氧的目的。本研究通過(guò)提升部分潮解的KOH對(duì)低摻雜n型外延片的腐蝕效果和純KOH對(duì)高摻雜n型襯底的腐蝕效果,驗(yàn)證了該方法的有效性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:在腐蝕前的恒溫時(shí)間段內(nèi),向腐蝕劑通入干燥空氣,可加快腐蝕劑中水分的蒸發(fā)速度,減輕水分對(duì)腐蝕反應(yīng)的抑制作用,使得部分潮解的KOH用于腐蝕外延片的效果優(yōu)于未潮解的新鮮KOH;在腐蝕時(shí)向腐蝕劑通入干燥空氣,可增加腐蝕劑中的溶解氧,促進(jìn)腐蝕時(shí)發(fā)生的氧化還原反應(yīng),使得KOH腐蝕SiC襯底的效果近似于用KOH+Na2O2共熔體腐蝕得到的效果。本研究有效改良了傳統(tǒng)KOH腐蝕方法,對(duì)于穩(wěn)定KOH腐蝕條件,提高SiC位錯(cuò)腐蝕效果具有很好的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。
