編號：CYYJ03430
篇名：提拉法下Yb:YAG單晶缺陷的正電子湮沒研究
作者：石小兔 張慶禮 孫貴花 羅建喬 竇仁勤 王小飛 高進云 張德明 劉建黨 葉邦角
關(guān)鍵詞： 晶體缺陷 正電子湮沒 YB:YAG晶體 提拉法
機構(gòu)： 中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究生院科學(xué)島分院 先進激光技術(shù)安徽省實驗室 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)核探測與核電子學(xué)國家重點實驗室
摘要： 為滿足固體激光器的應(yīng)用需求,研究人員不斷改進YAG激光晶體生長技術(shù),其中控制YAG中的缺陷結(jié)構(gòu)對于晶體的生長尤為重要。本工作對提拉法兩種工藝制備的晶體樣品進行了缺陷研究,特別是晶體散射點的起源。正電子湮沒技術(shù)是一種對材料微觀結(jié)構(gòu)十分靈敏且有效的核物理技術(shù)分析表征手段,對空位缺陷、微孔等極為敏感。根據(jù)正電子湮沒壽命譜與多普勒展寬譜的分析結(jié)果,無論工藝、有無散射點,樣品的正電子壽命及多普勒展寬線性參數(shù)均存在差異。這說明晶體主要缺陷是YAG結(jié)構(gòu)中的本征缺陷,散射點可能是空位團聚引起的納米微孔,研究表明該技術(shù)可以靈敏地表征YAG晶體散射點。正電子湮沒實驗反映的晶體單晶質(zhì)量差異與X射線衍射、單晶搖擺曲線、光透過率以及位錯密度結(jié)果吻合。在研究晶體的物理性能和缺陷與材料微結(jié)構(gòu)的關(guān)系上正電子湮沒技術(shù)具有獨特的技術(shù)優(yōu)勢,同時正電子湮沒技術(shù)可以在微觀尺度上有效反映晶體質(zhì)量。
