鈦合金陽極氧化法制備自組裝納米多孔結(jié)構(gòu)薄膜的研究

編號：NMJS00584

篇名：鈦合金陽極氧化法制備自組裝納米多孔結(jié)構(gòu)薄膜的研究

作者：張文彥; 李廣忠; 奚正平; 張健; 湯慧萍; 遲煜頔; 汪強兵;

關(guān)鍵詞：鈦合金; 陽極氧化; TiO2; 納米多孔; 陣列薄膜;

機構(gòu)： 中南大學(xué)粉末冶金國家重點實驗室; 西北有色金屬研究院金屬多孔材料國家重點實驗室;

摘要： 以TLM鈦合金為陽極氧化的基片,通過改變陽極氧化電壓、鈦合金相結(jié)構(gòu),找到制備納米多孔陣列的參數(shù),通過條件試驗發(fā)現(xiàn),在恒電壓小于30V時,通過時效處理的TLM鈦合金表面可以制備得到TiO2納米多孔結(jié)構(gòu)薄膜。