氮化硼對(duì)量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)化LED流明效率的影響

編號(hào)：CYYJ02871

篇名：氮化硼對(duì)量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)化LED流明效率的影響

作者：易琰

關(guān)鍵詞： QCLED 流明效率 氮化硼納米粒子

機(jī)構(gòu)： 廣州華商職業(yè)學(xué)院

摘要： 量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)化LED(QCLED)是LED發(fā)展中的一種新型器件,然而,QCLED的流明效率無法滿足實(shí)際應(yīng)用的要求。本文針對(duì)QCLED器件流明效率低的技術(shù)難題,在量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)化涂層中摻入六方氮化硼納米粒子,利用其強(qiáng)散射效應(yīng),提高QCLED的流明效率。通過實(shí)驗(yàn)研究,得出氮化硼粒子的最優(yōu)摻入濃度,當(dāng)?shù)�化硼粒子摻入濃度�?.25wt%時(shí),QCLED的流明效率與傳統(tǒng)QCLED相比增加了17.7%,達(dá)到了提升QCLED流明效率的目的。