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        Ge摻雜二氧化鈦復(fù)合薄膜制備及光吸收性能研究

        編號(hào):CPJS00694

        篇名:Ge摻雜二氧化鈦復(fù)合薄膜制備及光吸收性能研究

        作者:周艷軍; 何芳; 王玉林; 黃遠(yuǎn); 萬(wàn)怡灶;

        關(guān)鍵詞:溶膠凝膠法; 離子注入; TiO2復(fù)合薄膜; Ge; 光吸收;

        機(jī)構(gòu): 天津大學(xué)材料學(xué)院; 天津市材料復(fù)合與功能化重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 遼寧工業(yè)大學(xué)化學(xué)與環(huán)境工程學(xué)院;

        摘要: 采用磁控濺射和溶膠-凝膠兩種方法在石英基體上制備了純TiO2薄膜,并通過(guò)離子注入及溶膠摻雜方法分別對(duì)TiO2薄膜進(jìn)行Ge摻雜改性。利用XRD、XPS及UV-Vis對(duì)兩種TiO2復(fù)合薄膜的晶相結(jié)構(gòu)、原子化學(xué)態(tài)以及光吸收性能進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,磁控濺射法制得TiO2薄膜為銳鈦礦相,Ge離子注入引起復(fù)合薄膜的銳鈦礦相消失,且該相600℃退火后并未得到恢復(fù);經(jīng)過(guò)退火后Ge在磁控濺射TiO2薄膜中以Ge單質(zhì)存在。溶膠-凝膠法Ge摻雜復(fù)合薄膜中存在銳鈦礦相TiO2和Ge晶相,Ge在薄膜表面以Ge和GeO2形式存在。兩種摻雜方法制得的復(fù)合薄膜紫外-可見(jiàn)光吸收邊均發(fā)生了紅移。

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