編號(hào)：CPJS00684
篇名：TiO_2薄膜的制備及其壓敏特性研究
作者：季振國; 周麗萍; 毛啟楠;
關(guān)鍵詞：二氧化鈦; 薄膜; 壓敏特性; 擇優(yōu)取向; 厚度;
機(jī)構(gòu)： 杭州電子科技大學(xué)電子信息學(xué)院; 浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
摘要： 對(duì)熱氧化制備的TiO2薄膜的低壓壓敏特性進(jìn)行了研究。首先利用直流磁控濺射方法在重?fù)絊i襯底上沉積一層金屬鈦膜,然后在退火爐中熱氧化得到TiO2薄膜。XRD分析結(jié)果表明,Ti金屬膜熱氧化所得的TiO2薄膜為金紅石結(jié)構(gòu),當(dāng)熱氧化溫度600～800℃時(shí)呈現(xiàn)(200)擇優(yōu)取向性。I-V測(cè)試結(jié)果表明,擇優(yōu)取向的TiO2薄膜相對(duì)非擇優(yōu)取向的TiO2薄膜具有更高的壓敏閾值電壓。進(jìn)一步分析表明,閾值電壓與擇優(yōu)取向性的關(guān)系起源于薄膜厚度的變化。
