編號(hào)：FTJS09111
篇名：單晶硅的放電加工條件與試驗(yàn)研究
作者：辛彬 劉巍 宋玉貴
關(guān)鍵詞： 放電加工 單晶硅 場(chǎng)致發(fā)射 等離子體通道 電導(dǎo)率
機(jī)構(gòu)： 西安工業(yè)大學(xué)光電工程學(xué)院
摘要： 針對(duì)某類牌號(hào)的單晶硅材料在放電加工系統(tǒng)中無(wú)法實(shí)現(xiàn)放電的問(wèn)題,本文提出一種單晶硅放電加工臨界電導(dǎo)率σ的界定方法,系統(tǒng)性地揭示了單晶硅的電導(dǎo)率σ是影響放電通道擊穿并形成火花放電的根本原因。結(jié)合半導(dǎo)體物理理論,系統(tǒng)性地分析了單晶硅放電加工系統(tǒng)中從極間電場(chǎng)的建立到極間等離子體放電通道的形成過(guò)程;引入陰極場(chǎng)致電子發(fā)射理論,建立了單晶硅放電加工系統(tǒng)極間電流密度J與單晶硅電導(dǎo)率σ的物理模型,仿真分析了臨界電流密度J與單晶硅電導(dǎo)率σ之間的關(guān)系;結(jié)合實(shí)際加工過(guò)程對(duì)模型進(jìn)行了驗(yàn)證,驗(yàn)證結(jié)果表明該模型可確定單晶硅放電加工的臨界電導(dǎo)率,以此界定單晶硅的可加工性。
