編號：NMJS00523
篇名：多孔硅襯底上無催化劑制備GaN納米線
作者：楊瑋; 呂小毅; 吳榮; 鄭毓峰; 孫言飛; 簡基康;
關(guān)鍵詞：化學(xué)氣相沉積法; GaN; 納米線; 多孔硅;
機構(gòu)： 新疆大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院; 西安交通大學(xué)電子與信息工程學(xué)院;
摘要： 采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法,在1050℃的溫度下,以多孔硅(PS)為襯底,成功地制備出GaN納米線.采用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線能量色散譜(EDS)和光致發(fā)光(PL)譜對樣品的物相、形貌、成分及發(fā)光性質(zhì)進(jìn)行了分析.研究結(jié)果表明,產(chǎn)物為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的GaN納米線,納米線的直徑范圍為30nm到100nm,長度達(dá)幾十微米,位于376.2nm處有一帶邊發(fā)射峰,在435.8nm處有一個因缺陷引起的弱發(fā)光峰.最后簡單討論了制備GaN納米線的相關(guān)化學(xué)反應(yīng)和生長機制.
