編號(hào)：NMJS00513
篇名：二氧化鈦納米管陣列制備和光催化降解亞甲基藍(lán)
作者：朱玉嬋; 汪德兵; 萬(wàn)里; 陳紅梅; 任占冬;
關(guān)鍵詞：二氧化鈦納米管陣列; 電化學(xué)陽(yáng)極氧化; 光催化; 亞甲基藍(lán);
機(jī)構(gòu)： 武漢工業(yè)學(xué)院化學(xué)與環(huán)境工程學(xué)院系;
摘要： 采用電化學(xué)陽(yáng)極氧化的方法,以氟化銨水溶液為電解液,在純鈦表面制備了TiO2納米管陣列。以亞甲基藍(lán)為模擬污染物,考察了TiO2納米管陣列光催化降解效果。結(jié)果表明,TiO2納米管陣列催化降解效果要好于TiO2薄膜電極,當(dāng)降解時(shí)間為1h、2h、3h和4h時(shí),降解率分別為57.84%、86.44%、93.66%和95.72%;而TiO2薄膜電極的降解率分別為50.18%、76.27%、87.31%和91.53%。在此基礎(chǔ)上,考察了陽(yáng)極氧化電壓、氧化時(shí)間和焙燒溫度對(duì)陽(yáng)極氧化過(guò)程的影響規(guī)律。結(jié)果表明,陽(yáng)極氧化電壓在25V,氧化時(shí)間在1h,焙燒溫度在500℃時(shí)所制備的TiO2納米管陣列的光催化降解性能最好。
