編號(hào)：FTJS08889
篇名：改性鈦酸鋇/聚間苯二甲酰間苯二胺復(fù)合薄膜的制備與介電性能
作者：胡靜文 段廣宇 胡祖明 于俊榮 王彥 諸靜
關(guān)鍵詞： 介電復(fù)合材料 聚間苯二甲酰間苯二胺 鈦酸鋇 介電性能 熱穩(wěn)定性
機(jī)構(gòu)： 東華大學(xué)纖維材料改性國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
摘要： 通過在鈦酸鋇納米顆粒表面羥基化處理后用十八烷基異氰酸酯進(jìn)行化學(xué)接枝改性,然后將改性后的鈦酸鋇納米粒子加入到聚間苯二甲酰間苯二胺(PMIA)漿液中,采用刮涂法制得耐高溫的高性能PMIA介電復(fù)合薄膜。通過紅外研究了復(fù)合粒子表面官能團(tuán)變化;通過熱重研究復(fù)合薄膜和復(fù)合粒子的熱穩(wěn)定性;利用X射線光電子能譜分析材料的元素成分和相關(guān)的化學(xué)鍵種類,表明十八烷基異氰酸酯成功地接枝到納米鈦酸鋇表面;通過掃描電鏡研究了復(fù)合薄膜的斷面形貌,表明經(jīng)過改性后的納米鈦酸鋇改善了其與PMIA基體的相容性;通過寬頻介電阻抗譜儀研究不同條件下復(fù)合薄膜的介電性能變化。結(jié)果表明,當(dāng)改性鈦酸鋇納米粒子質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%時(shí),復(fù)合薄膜的介電常數(shù)是純PMIA膜的5.4倍,同時(shí)保持了較低的介電損耗;同時(shí),當(dāng)溫度到達(dá)120℃時(shí),復(fù)合薄膜依然保持了良好的介電性能,能滿足高溫環(huán)境的應(yīng)用要求。
