編號：CYYJ01737
篇名：摻鎵單晶硅太陽電池和組件的光致衰減性能研究
作者：連維飛 沈鴻烈 張樹德
關(guān)鍵詞： 摻鎵單晶硅 太陽電池 太陽電池組件 光致衰減 空焊 CTM值
機(jī)構(gòu)： 南京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院 蘇州騰暉光伏技術(shù)有限公司研發(fā)部
摘要： 分別使用摻鎵和常規(guī)摻硼單晶硅片制備了太陽電池與組件,對電池進(jìn)行了光照和空焊處理,再采用Halm電池電性能測試儀測試了兩種單晶硅太陽電池和組件在光照和空焊實(shí)驗(yàn)前后的光電性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在相同光照條件下,采用摻鎵單晶硅片所制太陽電池的光衰率比用摻硼單晶硅片的低0.91%�？蘸负蟮膿芥墕尉Ч杼栯姵馗黜椆怆娦阅軈�(shù)的一致性沒有出現(xiàn)明顯變化,這有利于減少太陽電池之間的失配損失。還發(fā)現(xiàn)摻鎵單晶硅太陽電池組件的CTM(cell to module)值高于摻硼單晶硅太陽電池組件的CTM值�？傊�,摻鎵單晶硅太陽電池能更好地抑制光致衰減效應(yīng),并減小串焊工藝對太陽電池光電性能的影響,獲得更高的太陽電池組件功率。
