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        高響應度光電檢測器件石墨烯-MoS2垂直異質(zhì)結(jié)的制備

        編號:FTJS08789

        篇名:高響應度光電檢測器件石墨烯-MoS2垂直異質(zhì)結(jié)的制備

        作者:姚杰 繆鑫 王帥 顧嫣蕓 高銘良 萬茜

        關(guān)鍵詞: 材料 光電探測器 石墨烯-MoS2垂直異質(zhì)結(jié) MoS2 石墨烯 二維材料

        機構(gòu): 江南大學物聯(lián)網(wǎng)工程學院

        摘要: 石墨烯(Gr)及其他類石墨烯的二維(2D)材料,包括六方氮化硼(h-BN)、過渡金屬硫族化合物(TMDCs)等,自發(fā)現(xiàn)以來便以其獨特的物理性質(zhì)受到了研究人員的青睞。由這些二維層狀材料相互堆疊形成的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)(vdW)因具有很多優(yōu)異的性質(zhì)而成為最近的研究熱點。本課題組首先制備了大面積、高質(zhì)量的單層石墨烯及二硫化鉬(MoS2),然后將石墨烯薄膜利用光刻及等離子體刻蝕技術(shù)制作成石墨烯條帶,最后將MoS2轉(zhuǎn)移至石墨烯條帶上構(gòu)成石墨烯-MoS2垂直異質(zhì)結(jié)(Gr-MoS2)。測試后發(fā)現(xiàn),基于Gr-MoS2垂直異質(zhì)結(jié)的光電探測器的光電流為單層MoS2器件的250倍,光響應度為單層MoS2器件的750倍。光電性能的提高證明了這種由石墨烯和MoS2堆疊而成的異質(zhì)結(jié)在將來的光電器件及光電子集成電路中具有廣闊的應用前景。

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