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        熱處理氣氛對TiO_2納米管陣列薄膜光電催化性能的影響

        編號:NMJS00482

        篇名:熱處理氣氛對TiO_2納米管陣列薄膜光電催化性能的影響

        作者:張溪; 凌云漢; 廖雷; 牛致遠(yuǎn); 陳詩蕾; 趙成根;

        關(guān)鍵詞:二氧化鈦; 納米管陣列; 陽極氧化; 光電催化; 亞甲基藍(lán); 熱處理;

        機(jī)構(gòu): 桂林理工大學(xué)環(huán)境科學(xué)與工程學(xué)院; 清華大學(xué)材料科學(xué)與工程系;

        摘要: 采用原位陽極氧化法在Ti基底上制備了高度有序的TiO2納米管陣列薄膜,分別在O2,空氣,Ar和H2氣氛中于500oC進(jìn)行結(jié)晶熱處理,考察了熱處理氣氛對TiO2納米管陣列薄膜光電催化降解亞甲基藍(lán)(MB)反應(yīng)性能的影響.結(jié)果表明,在這些氣氛中熱處理得到的銳鈦礦晶型的納米管陣列薄膜對MB降解滿足一級反應(yīng),其速率常數(shù)分別為4.967,3.127,1.989和1.625h?1(0.5V).電化學(xué)阻抗分析表明,TiO2納米管的光電催化性能受控于光生電荷的傳遞特性.在O2中熱處理,TiO2納米管的光吸收及激發(fā)性能得以改善,且電荷傳遞阻抗降低,因而其光電催化性能最好.

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