編號：CYYJ02555
篇名：超薄介質(zhì)插層調(diào)制的氧化銦錫/鍺肖特基光電探測器
作者：趙一默 黃志偉 彭仁苗 徐鵬鵬 吳強(qiáng) 毛亦琛 余春雨 黃巍 汪建元 陳松巖 李成
關(guān)鍵詞： 光電探測器 接觸勢壘 響應(yīng)度 介質(zhì)插層
機(jī)構(gòu)： 廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院 閩南師范大學(xué)物理與信息工程學(xué)院 廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
摘要： 本文通過在氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)透明電極和鍺(germanium,Ge)之間引入超薄氧化物介質(zhì)層以調(diào)節(jié)其接觸勢壘高度,制備出低暗電流、高響應(yīng)度的鍺肖特基光電探測器.比較研究了采用不同種類介質(zhì)Al2O3和MoO3,以及不同摻雜濃度的鍺和硅襯底上外延鍺材料制作的ITO/Ge肖特基二極管特性.發(fā)現(xiàn)2 nm厚的Al2O3插層可有效提高ITO與n-Ge和i-Ge的接觸勢壘高度,而MoO3插層對ITO與不同Ge材料的接觸勢壘高度影響不明顯.ITO/Al2O3/i-Ge探測器由于其增大的勢壘高度表現(xiàn)出性能最佳,暗電流(-4 V)密度低至5.91 mA/cm2,1310 nm波長處光響應(yīng)度高達(dá)4.11 A/W.而基于硅基外延鍺(500 nm)材料制作的ITO/Al2O3/Ge-epi光電探測器的暗電流(-4 V)密度為226.70 mA/cm2,1310 nm處光響應(yīng)度為0.38 A/W.最后,使用二維位移平臺對ITO/Al2O3/i-Ge光電探測器進(jìn)行了單點成像實驗,在1310 nm,1550 nm兩個波段得到了清晰可辨的二維成像圖.
