編號(hào)：NMJS00478
篇名：一維二氧化硅納米材料紫外吸收光譜理論研究
作者：許瑩; 徐燦;
關(guān)鍵詞：SiO2納米材料; 紫外吸收光譜; 羥基; 含時(shí)密度泛函;
機(jī)構(gòu)： 中國(guó)民航大學(xué)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)中心; 蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
摘要： 運(yùn)用含時(shí)密度泛函B3LYP方法6-31G(d)基組水平上,計(jì)算了二氧化硅一維納米材料單鏈(1NL)、雙鏈(2NL)以及含羥基單鏈(1NLW)、雙鏈(2NLW)與尺寸相關(guān)的電子吸收光譜,并從電子結(jié)構(gòu)和態(tài)密度角度對(duì)其進(jìn)行分析。無羥基結(jié)構(gòu)的紫外吸收光譜較強(qiáng)峰的頻率隨尺寸減小紅移,含羥基結(jié)構(gòu)隨尺寸減小明顯藍(lán)移。分析表明羥基上的H與Si相互作用使分子未占據(jù)軌道能量明顯升高,造成結(jié)構(gòu)吸收光譜隨尺寸變小藍(lán)移,羥基的加成可以改變二氧化硅納米結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)。紫外吸收光譜研究以及對(duì)羥基作用的確定對(duì)SiO2納米材料的深入研究具有指導(dǎo)意義。
