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        單晶α-氧化鋁晶圓的研磨特性研究

        編號:CYYJ02514

        篇名:單晶α-氧化鋁晶圓的研磨特性研究

        作者:孫書娟 季業(yè)益 陸寶山 關(guān)集俱

        關(guān)鍵詞: 陶瓷研磨裝置 GC/C磨料研磨盤 單晶α-氧化鋁晶圓 研磨特性

        機構(gòu): 蘇州建設(shè)交通高等職業(yè)技術(shù)學(xué)校軌道交通工程系 蘇州工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院精密制造工程系

        摘要: 開發(fā)微孔陶瓷研磨裝置,并制備GC磨料和C磨料研磨盤,分別對單晶α-氧化鋁晶圓進(jìn)行研磨加工試驗。試驗結(jié)果表明:與C磨料研磨盤相比,GC磨料研磨盤對單晶α-氧化鋁晶圓的研磨效果更佳;使用GC磨料研磨盤研磨10 min后,晶圓材料去除率為1.05~1.15μm/min,表面粗糙度Sa達(dá)15~16 nm;在研磨40~50 min時,研磨盤的研磨效率下降,晶圓材料去除率增加至1.4~1.5μm/min,但表面粗糙度Sa僅提高至15.5~16.5 nm。盡管如此,在保證表面加工質(zhì)量的前提下,晶圓的材料去除率仍能達(dá)到1μm/min以上的工業(yè)加工標(biāo)準(zhǔn),表明所開發(fā)的微孔陶瓷研磨裝置能夠較好地滿足單晶α-氧化鋁晶圓的研磨加工要求。

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