編號(hào)：NMJS00461
篇名：納米結(jié)構(gòu)ZnO在TiO_2薄膜上的電化學(xué)沉積及其表征
作者：林景升; 付薇; 井立強(qiáng); 屈宜春; 李志君;
關(guān)鍵詞：氧化鋅; 納米棒陣列; 電化學(xué)沉積; 二氧化鈦納米薄膜; 光致發(fā)光;
機(jī)構(gòu)： 功能無機(jī)材料化學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 黑龍江大學(xué)化學(xué)化工與材料學(xué)院;
摘要： 在三電極體系中,以硝酸鋅水溶液作為電解液,采用陰極還原電沉積法成功實(shí)現(xiàn)了一維納米結(jié)構(gòu)ZnO陣列在TiO2納米粒子/ITO導(dǎo)電玻璃薄膜基底上的沉積,并通過XRD、SEM、EDS和PL光譜等方法對(duì)樣品進(jìn)行了表征.重點(diǎn)研究了薄膜基底、電解液濃度、沉積時(shí)間、六次亞甲基四胺(HMT)的引入對(duì)ZnO沉積及其發(fā)光性質(zhì)的影響.結(jié)果顯示:與ITO玻璃基底相比,ZnO更易于在TiO2納米粒子薄膜上實(shí)現(xiàn)電化學(xué)沉積.ZnO屬于六方晶系的鉛鋅礦結(jié)構(gòu),并且沿著c-軸方向表現(xiàn)出明顯的擇優(yōu)化生長(zhǎng),以形成垂直于基底的ZnO納米棒陣列.延長(zhǎng)沉積時(shí)間、增加電解液濃度和引入一定量的HMT等均對(duì)ZnO的生長(zhǎng)有促進(jìn)作用,進(jìn)而使其納米棒的結(jié)晶度和取向程度提高,進(jìn)而解釋了所得的薄膜分別約在375和520nm處表現(xiàn)出ZnO的強(qiáng)而窄的帶邊紫外光發(fā)射峰和弱而寬的表面態(tài)綠光發(fā)射帶.
