編號：CYYJ01694
篇名：PECVD法沉積大尺寸氮化硅薄膜性能的研究
作者：胡毓龍 金哲山 董杰 劉曉婷 霍建賓
關(guān)鍵詞： 薄膜晶體管 化學(xué)氣相沉積 氮化硅 均一度 致密度 膜厚
機構(gòu)： 北京京東方顯示技術(shù)有限公司
摘要： 采用等離子體增強型化學(xué)氣相沉積(PECVD)法在大尺寸玻璃基板上沉積氮化硅薄膜,對薄膜性能進行了研究,并從微觀角度對所得結(jié)論進行了進一步分析與討論。PECVD法在連續(xù)沉積氮化硅薄膜時,薄膜的厚度、沉積速率、均一性以及致密度會隨鍍膜基板數(shù)變化。結(jié)果表明,隨鍍膜基板數(shù)量的逐漸增加,氮化硅薄膜平均厚度呈上升趨勢,均一性變好,薄膜致密度呈下降趨勢。
