編號：FTJS08574
篇名：HVPE法制備碳摻雜半絕緣氮化鎵晶圓片
作者：賴云 羅曉菊 王現(xiàn)英
關(guān)鍵詞： 氫化物氣向外延 氮化鎵 晶體生長 碳摻雜 晶圓片
機構(gòu)： 上海理工大學材料科學與工程學院 鎵特半導(dǎo)體科技（上海）有限公司
摘要： 利用氫化物氣相外延法(HVPE)生長,以甲烷為摻雜源,成功制備獲得四英寸自支撐半絕緣氮化鎵(GaN)晶圓片。所使用摻雜氣體為濃度為5%的甲烷氣體,混合于N2載氣中。所制備晶圓片厚度可達800μm以上,表面無裂紋,表明粗糙度在0.6 nm以下。(002)和(102)晶面X射線衍射搖擺曲線的半峰寬均小于100 arcsec,普遍在為40~60 arcsec,曲率半徑可達20 m及以上,位錯密度低于106/cm2,測得電阻率大于109Ω-cm。
