編號(hào)：NMJS07982
篇名：RIE反應(yīng)離子刻蝕氮化硅工藝的研究
作者：關(guān)一浩 雷程 梁庭 白悅杭 齊蕾 武學(xué)占
關(guān)鍵詞： 氮化硅 多晶硅 反應(yīng)離子刻蝕 刻蝕速率 非均勻性
機(jī)構(gòu)： 中北大學(xué)儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 北方自動(dòng)控制技術(shù)研究所
摘要： 氮化硅在紅外熱電堆中既充當(dāng)鈍化隔離層又充當(dāng)紅外吸收層,其薄膜刻蝕在MEMS工藝中至關(guān)重要。采用RIE-10NR反應(yīng)離子刻蝕機(jī)以SF6為主要刻蝕氣體,通過改變氧氣流量、射頻功率、腔室壓強(qiáng)對(duì)氮化硅薄膜進(jìn)行刻蝕實(shí)驗(yàn)。通過臺(tái)階儀及共聚焦顯微鏡表征刻蝕形貌、速率及刻蝕均勻性。實(shí)驗(yàn)表明,在SF6流量為50 sccm,O2流量為10 sccm,腔室壓強(qiáng)為11 Pa,射頻功率為250 W的條件下,氮化硅刻蝕速率達(dá)到509 nm/min,非均勻性可達(dá)2.4%;在同樣條件下,多晶硅的刻蝕速率達(dá)到94.5 nm/min,選擇比為5.39∶1。
