編號(hào)：NMJS07972
篇名：晶體硅太陽(yáng)能電池連續(xù)流等離子體強(qiáng)化表面摻雜技術(shù)的研究
作者：趙俊霞
關(guān)鍵詞： 晶體硅電池 等離子體 表面摻雜
機(jī)構(gòu)： 三江學(xué)院
摘要： 針對(duì)業(yè)界常用的熱擴(kuò)散工藝產(chǎn)生"死層"的現(xiàn)象,提出連續(xù)流等離子體強(qiáng)化表面摻雜技術(shù),根據(jù)新技術(shù)制備的晶體硅太陽(yáng)能電池片沒(méi)有富硼層(Boron rich layer)而且Si-SiO2界面具有良好的原子平整度、無(wú)晶格缺陷,具有高效、可控、穩(wěn)定的電池性能(平均轉(zhuǎn)化效率達(dá)22%,最高轉(zhuǎn)化效率達(dá)23%)。
