編號(hào)：NMJS00434
篇名：AZO晶種層對(duì)ZnO納米線生長(zhǎng)及紫外光電導(dǎo)性能的影響
作者：曹東; 蔣向東; 李大偉; 孫繼偉;
關(guān)鍵詞：AZO; ZnO納米線; 溶液化學(xué)法; 紫外光電導(dǎo)性能;
機(jī)構(gòu)： 電子科技大學(xué)光電信息學(xué)院;
摘要： 采用溶液化學(xué)法實(shí)現(xiàn)了在Zn(NO3)2/C6H12N4混合溶液中ZnO納米線在AZO薄膜修飾過(guò)襯底上生長(zhǎng)。AZO薄膜由射頻磁控濺射法制備,通過(guò)濺射時(shí)間和基底溫度的變化改變薄膜形態(tài),重點(diǎn)研究了不同薄膜形態(tài)對(duì)ZnO納米線形貌和結(jié)構(gòu)的影響,最終在濺射2h、基底溫度250℃晶種上得到垂直于襯底、高度平行取向的ZnO納米線陣列。在此基礎(chǔ)上研究了不同形貌ZnO納米線陣列的紫外光電導(dǎo)性能差異。結(jié)果表明,垂直生長(zhǎng)的納米線較倒伏納米線紫外響應(yīng)迅速,分析認(rèn)為是紫外光照下曝光面積不同造成的。
