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        錫摻雜CsPbBr3量子點的合成及其光電性能研究

        編號:CYYJ02443

        篇名:錫摻雜CsPbBr3量子點的合成及其光電性能研究

        作者:曾凡菊 譚永前 張小梅 尹海峰 陳威威 唐孝生

        關(guān)鍵詞: 材料 錫摻雜CsPbBr3量子點 晶體結(jié)構(gòu) 光致發(fā)光 電致發(fā)光

        機構(gòu): 重慶大學光電工程學院 凱里學院大數(shù)據(jù)工程學院

        摘要: 采用熱注入法合成了錫摻雜CsPbBr3量子點。透射電子顯微鏡和X射線衍射儀(XRD)的表征結(jié)果顯示,少量錫摻雜可以部分替代鉛,對量子點有鈍化作用,減少了量子點的表面缺陷,提高了量子點的光致發(fā)光量子效率(PLQY)。當摻雜鉛和錫的物質(zhì)的量比為9:1時,量子點的PLQY從未摻雜時的21.0%提高到了40.4%。隨著錫摻雜量的增加,XRD譜中出現(xiàn)了雜相,光致發(fā)光減弱,PLQY由少量錫摻雜(鉛和錫的物質(zhì)的量比為9:1)量子點的40.4%降低到CsPb0.6Sn0.4Br3的10.4%。少量錫摻雜的CsPb0.9Sn0.1Br3具有最強的光致發(fā)光和電致發(fā)光,其光致發(fā)光峰位為511 nm,PLQY為40.4%,電致發(fā)光峰位為512 nm,電致發(fā)光亮度為343.0 cd/m2,是未摻雜CsPbBr3量子點發(fā)光二極管亮度的2.5倍。本實驗證明了采用少量錫摻雜CsPbBr3(CsPb0.9Sn0.1Br3)可以降低量子點的表面缺陷,提高量子點的光致發(fā)光與電致發(fā)光性能。

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