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        納米化處理對g-C3N4物理性質和光催化性能的影響

        編號:CYYJ02357

        篇名:納米化處理對g-C3N4物理性質和光催化性能的影響

        作者:巴超群 方昱茜 劉彥伯

        關鍵詞: 氮化碳 納米片 納米化 光催化 高壓微射流均質 羅丹明B 納米材料

        機構: 上海市納米科技與產業(yè)發(fā)展促進中心

        摘要: 采用高壓微射流均質處理方法,分別在水和異丙醇介質中對以三聚氰胺為前驅體通過熱聚合法制備的本征g-C3N4材料進行納米化處理。通過在紫外光和可見光下降解羅丹明B(RhB)和亞甲基藍(MB),對納米片的光催化活性進行研究。結果表明:高壓微射流均質納米化處理不會破壞g-C3N4層內結構,卻能夠有效減小g-C3N4的顆粒尺寸、增大其比表面積、暴露更多的活性反應位點以及延長載流子的壽命,從而提高g-C3N4材料的光催化活性。此外,納米化處理能夠有效調控g-C3N4表面官能團,使水相和異丙醇相氮化碳納米片表面帶相反的電荷,可見光照射下,當納米化處理次數為8次時,異丙醇相氮化碳在210min內對MB的降解率為49%,水相氮化碳在210min內對RhB的降解率為100%。

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