編號(hào)：CYYJ02340
篇名：硅基氮化鎵異質(zhì)結(jié)材料與多晶金剛石集成生長(zhǎng)研究
作者：楊士奇 任澤陽 張金風(fēng) 何琦 蘇凱 張進(jìn)成 郭懷新 郝躍
關(guān)鍵詞： 金剛石 氮化鎵 異質(zhì)外延
機(jī)構(gòu)： 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院 南京電子器件研究所
摘要： 在50.8 mm(2英寸)硅基氮化鎵異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體材料上采用低壓等離子體化學(xué)氣相沉積方法淀積100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備在氮化硅層上方實(shí)現(xiàn)多晶金剛石材料的外延生長(zhǎng)。采用氮化硅作為過渡層和保護(hù)層有效調(diào)控了材料應(yīng)力,保護(hù)了氮化鎵基材料在多晶外延過程中被氫等離子體刻蝕,使得外延前后氮化物異質(zhì)結(jié)材料特性未發(fā)生明顯退化。透射電子顯微鏡測(cè)試結(jié)果顯示,樣品具有良好的界面且在金剛石的晶界上存在非金剛石相。本次研究成功實(shí)現(xiàn)了氮化鎵金剛石的異質(zhì)集成生長(zhǎng),這對(duì)采用金剛石解決氮化鎵基HEMT器件的散熱問題具有重要意義。
