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        硅納米孔柱陣列上低溫無催化劑生長碳納米管

        編號:NMJS00365

        篇名:硅納米孔柱陣列上低溫無催化劑生長碳納米管

        作者:楊保河; 姜衛(wèi)粉;

        關鍵詞:碳納米管; 硅納米孔柱陣列; 化學氣相沉積; 合成;

        機構: 鄭州師范學院物理系; 華北水利水電學院數(shù)學與信息科學學院;

        摘要: 采用化學氣相沉積的方法在硅納米孔柱陣列襯底上無催化劑生長出碳納米管.分別在新制備的和制備后再在常溫下自然氧化一周的硅納米孔柱陣列襯底上進行無催化劑生長碳納米管,結果發(fā)現(xiàn)新制備的硅納米孔柱陣列表面沒有碳納米管長出,而自然氧化一周的硅納米孔柱陣列表面有大量的碳納米管出現(xiàn).從硅納米孔柱陣列的結構及表面氧化程度的不同加以分析,提出了無催化劑生長碳納米管的生長機理,為在無金屬催化劑條件下生長碳納米管提供了一種新的方法.

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