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        凹凸棒石/g-C3N4復(fù)合材料的制備及其電催化析氧性能研究

        編號:CYYJ01846

        篇名:凹凸棒石/g-C3N4復(fù)合材料的制備及其電催化析氧性能研究

        作者:張盛 蔣億 紀(jì)媛媛 杜瑩 盛振環(huán) 殷竟洲 李喬琦 張莉莉

        關(guān)鍵詞: 凹凸棒石 石墨相氮化碳 電催化 析氧反應(yīng)

        機(jī)構(gòu): 淮陰師范學(xué)院化學(xué)化工學(xué)院

        摘要: 以凹凸棒石(ATP)為載體,通過原位沉積,結(jié)合冷凍干燥、程序焙燒工藝在其表面負(fù)載不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的類石墨相氮化碳(g-C3N4)薄層材料,制備系列ATP/g-C3N4復(fù)合材料用于電催化析氧反應(yīng),產(chǎn)物標(biāo)識為ATP/g-C3N4-w (質(zhì)量分?jǐn)?shù)w=m ATP:(m ATP+mg-C3N4)=0.33、0.40、0.50、0.67),并研究在0.1 mol/L KOH的電解液中的電催化析氧性能。結(jié)果表明:g-C3N4薄層通過Si-O-C鍵牢固負(fù)載于凹凸棒石表面,從而有效調(diào)變g-C3N4表面的電子層結(jié)構(gòu),提供更多的催化活性位點(diǎn)。電催化析氧測試的結(jié)果表明:ATP/g-C3N4-0.50具有最優(yōu)的析氧催化性能,在10 mA/cm^2電流密度下其析氧過電位為410 mV,塔菲爾斜率為118 mV/dec,并表現(xiàn)出優(yōu)異的析氧穩(wěn)定性。

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