編號(hào)：CYYJ01694
篇名：電化學(xué)陽極氧化處理對(duì)超納米金剛石/多層石墨烯復(fù)合薄膜電容性能的影響
作者：胡冬玲 王兵
關(guān)鍵詞： 陽極氧化 表面改性 MPCVD UNCD/MLG薄膜
機(jī)構(gòu)： 西南科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 西南科技大學(xué)環(huán)境友好能源材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
摘要： 為解決表面疏水導(dǎo)致的超納米金剛石/多層石墨烯復(fù)合薄膜(UNCD/MLG)電容性能差的問題,通過電化學(xué)陽極氧化工藝對(duì)微波等離子化學(xué)氣相沉積的UNCD/MLG薄膜進(jìn)行表面處理以改善其相應(yīng)性能。采用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)對(duì)處理前后薄膜的表面微觀形貌進(jìn)行對(duì)照分析,并用拉曼光譜(Raman)、光電子能譜(XPS)和靜態(tài)接觸角(Contact angle)表征其表面微觀狀態(tài),用循環(huán)伏安法(CV)和恒流充放電法(GCD)比較分析處理前后薄膜的電容性能。結(jié)果表明,與原始薄膜相比,處理后的薄膜由超疏水性變?yōu)橛H水性,且其電容值最大提高約115倍,表明電化學(xué)陽極氧化處理可以有效地對(duì)UNCD/MLG薄膜進(jìn)行表面改性,大幅提升其電容性能。
