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        石墨烯導(dǎo)電柔性襯底上生長硼摻雜ZnO納米球及其光電性能的研究

        編號(hào):CPJS06961

        篇名:石墨烯導(dǎo)電柔性襯底上生長硼摻雜ZnO納米球及其光電性能的研究

        作者:任帥 容萍 姜立運(yùn) 李亞鵬 于琦

        關(guān)鍵詞: 石墨烯 ZnO PET-ITO 硼摻雜 光電器件

        機(jī)構(gòu): 陜西理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院陜西省催化基礎(chǔ)與應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室石墨烯研究所 陜西理工大學(xué)物理與電信工程學(xué)院

        摘要: 以石墨烯柔性襯底(GPET)為基底,硼酸、六次甲基四胺和六水硝酸鋅為摻雜劑,采用低溫(95℃)水熱法合成硼摻雜石墨烯/氧化鋅薄膜復(fù)合材料(B-ZnO/GPET)。通過X射線衍射儀(XRD),掃描電子顯微鏡(SEM),光致發(fā)光光譜(PL),伏安特征曲線(I-V)等進(jìn)行表征,分析B-ZnO/GPET的生長機(jī)理,通過改變硼酸的摻雜濃度,研究B-ZnO/GPET的形貌差異。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,水熱法能夠成功的將B元素?fù)饺隑-ZnO/GPET的晶格中。硼酸的摻雜濃度決定了B-ZnO/GPET的結(jié)晶質(zhì)量。隨著硼酸濃度的增加,ZnO的結(jié)晶質(zhì)量明顯改善,并呈現(xiàn)ZnO納米球狀,比表面積增加到了26.4 m~2/g高于純ZnO的10.32 m~2/g,晶粒尺寸也相應(yīng)增大。B-ZnO/GPET顯著提高了良好循環(huán)下的光電性能,在光電器件領(lǐng)域擁有良好的前景。

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