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        PMMA/PVA雙支撐膜輔助銅刻蝕法:一種改進的石墨烯轉(zhuǎn)移技術(shù)

        編號:FTJS07356

        篇名:PMMA/PVA雙支撐膜輔助銅刻蝕法:一種改進的石墨烯轉(zhuǎn)移技術(shù)

        作者:王勝濤 盧維爾 王桐 夏洋

        關鍵詞: 石墨烯轉(zhuǎn)移 聚乙烯醇(PVA) 殘膠 銅刻蝕法 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 支撐膜

        機構(gòu): 中國科學院微電子研究所微電子儀器設備研究中心 北京交通大學理學院 中國科學院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室 中國科學院大學

        摘要: 石墨烯具有高載流子遷移率、高熱導率、高力學強度等獨特性能,可應用于微電子器件、生物傳感器、燃料電池、儲能器件等,在許多領域擁有廣闊的發(fā)展前景。如何轉(zhuǎn)移得到少殘膠、無破損的石墨烯是其在電子器件中應用必須解決的問題。常規(guī)的基于銅刻蝕法的石墨烯轉(zhuǎn)移技術(shù)存在因聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶解不徹底、殘留在石墨烯表面而造成污染的不足。鑒于此,本工作提出了PMMA/PVA雙支撐膜輔助銅刻蝕法,即在銅刻蝕法中引入高水溶性的聚乙烯醇(PVA,醇解度98%)作為高強度PMMA和石墨烯之間的阻隔層,構(gòu)成雙支撐膜。光學顯微鏡(OM)、拉曼(Raman)光譜及電學性能測試的結(jié)果表明,該方法轉(zhuǎn)移得到的石墨烯殘膠少、表面潔凈,具有高的結(jié)晶特性,并且其背柵場效應晶體管(BGFET)表現(xiàn)出良好的載流子遷移率。此外,該方法操作簡便,同時還是一種潛在的用于多種二維材料轉(zhuǎn)移的普適技術(shù)。

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