編號：CPJS06859
篇名：四針狀氧化鋅/還原氧化石墨烯復(fù)合陰極的場發(fā)射性能研究
作者：林金堂
關(guān)鍵詞： 還原氧化石墨烯 四針狀氧化鋅 復(fù)合陰極 場致電子發(fā)射
機(jī)構(gòu)： 福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院 場致發(fā)射顯示技術(shù)教育部工程研究中心
摘要： 通過絲網(wǎng)印刷將四針狀納米氧化鋅(tetrapod-liked zinc oxide nanoneedles,T-ZnO)轉(zhuǎn)移到電極表面,采用旋涂的方法在T-ZnO陣列上方形成連續(xù)的、懸浮結(jié)構(gòu)的還原石墨烯(reduced graphene oxide,rGO)層薄膜,制備出以T-ZnO為支撐層的T-ZnO/rGO復(fù)合薄膜冷陰極。實(shí)驗(yàn)表明:相對于T-ZnO陰極,T-ZnO/rGO薄膜陰極發(fā)射電流密度提高、開啟場強(qiáng)與閾值場強(qiáng)降低,其開啟場強(qiáng)為2.5 V/μm(電流密度10μA/cm^2),閾值電場為3.8 V/μm(電流密度為1 mA/cm^2),具有良好的場發(fā)射性能。
