編號：NMJS07113
篇名：光刻法圖案化石墨烯研究
作者：呂志軍 張鋒 劉文渠 董立文 宋曉欣 崔釗 王利波 孟德天
關鍵詞： 光刻 石墨烯 方塊電阻 關鍵尺寸
機構： 京東方科技集團股份有限公司
摘要： 介紹了光刻法石墨烯的制備方法,分析了光刻工藝過后石墨烯方阻升高的不良機理,并給出了相應的優(yōu)化方案。首先,根據(jù)半導體工藝研發(fā)制程完成石墨烯圖案化工藝方案,并對工藝方案進行有效優(yōu)化。接著,分析了石墨烯光刻法圖案化后方阻升高的機理。最后,通過改善工藝方案,增加金屬濕法刻蝕的步驟,解決石墨烯方阻升高的問題。實驗結果表明:通過光刻法制得的石墨烯具有更高的圖案精細度,關鍵尺寸可達到5μm。雙層石墨烯膜的方阻在光刻法圖案化后,通過工藝改善可以保持原始膜最初阻值約330Ω/,甚至可以降低到270Ω/左右。光刻法圖案化石墨烯技術,既能保證石墨烯圖案尺寸精度,又可以保持甚至降低石墨烯方阻值,適合于量產開發(fā)。
