編號(hào)：CPJS06384
篇名：面向高效單結(jié)GaInP太陽(yáng)電池的介質(zhì)復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的仿真研究
作者：王巖巖 王劉麗 王潔 周煒曜 張瑞英
關(guān)鍵詞： 介質(zhì)復(fù)合納米結(jié)構(gòu) 寬譜減反 RCWA GaInP電池
機(jī)構(gòu)： 蘇州大學(xué)文正學(xué)院 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
摘要： 以實(shí)現(xiàn)寬譜減反介質(zhì)復(fù)合納米結(jié)構(gòu)表面的高效單結(jié)GaInP太陽(yáng)電池為目標(biāo),利用嚴(yán)格耦合波分析理論,仿真研究了該電池表面的介質(zhì)復(fù)合納米結(jié)構(gòu)對(duì)太陽(yáng)電池寬譜減反、歸一化吸收、最大化理想效率的影響。該介質(zhì)復(fù)合納米結(jié)構(gòu)從上往下依次為SiO2納米錐、SiO2介質(zhì)層和SiNx介質(zhì)層,通過(guò)對(duì)SiO2納米錐占空比、深寬比以及對(duì)SiO2和SiNx介質(zhì)層厚度等參數(shù)的系列仿真最終優(yōu)化出適用于單結(jié)GaInP電池的表面結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明:當(dāng)SiO2納米錐底部直徑D=550 nm、高度H=650nm、SiNx介質(zhì)層厚度為60 nm時(shí)電池具有最高的最大化理想轉(zhuǎn)換效率為28.58%。上述結(jié)果為后期實(shí)驗(yàn)以及該類電池實(shí)現(xiàn)規(guī)�；a(chǎn)奠定了基礎(chǔ)。
