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        在氧化銦錫導電玻璃上化學浴沉積ZnO納米線

        編號:NMJS07056

        篇名:在氧化銦錫導電玻璃上化學浴沉積ZnO納米線

        作者:楊文婷

        關鍵詞: ZNO納米線 化學浴沉積法 長徑比

        機構: 廣西建設職業(yè)技術學院

        摘要: 以Zn(NO3)2·6H2O、六亞甲基四胺和聚乙烯亞胺(PEI)為原料,采用化學浴沉積法在沉積了ZnO種子層的氧化銦錫導電玻璃襯底上制備ZnO納米線,研究了種子層沉積溫度(150,200℃)以及PEI濃度(0~9.0mmol·L-1)、生長時間(3~12h)和水浴溫度(65~95℃)對ZnO納米線形貌和尺寸的影響。結果表明:在試驗參數(shù)下均能成功制備得到ZnO納米線;當種子層沉積溫度為200℃,生長時間為9h,水浴溫度為95℃,PEI濃度為4.5mmol·L-1時,ZnO納米線呈規(guī)則六棱柱狀生長,并垂直排列于襯底上,且長徑比最大,達20.56。

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