編號：CPJS06285
篇名：沉積電壓對納米多孔氧化錳膜電容性能的影響
作者：方華 孟凡騰 張林森 閆繼 張世超
關鍵詞： 二氧化錳 電化學沉積法 納米棒陣列 超級電容器
機構： 鄭州輕工業(yè)大學材料與化學工程學院 北京航空航天大學大學材料科學與工程學院
摘要： 采用陽極電化學沉積法在鎳片上沉積納米多孔氧化錳膜。利用XRD和SEM對氧化錳膜進行物性分析,利用線性伏安掃描、循環(huán)伏安和恒流充放電法進行電化學電容性能測試。研究表明在0.5V(vs.SCE)沉積的氧化錳膜呈現(xiàn)出納米多孔的納米花形貌,當沉積電壓增加時,氧化錳納米片的顆粒的尺寸會變小,逐漸轉變?yōu)橛裳趸i納米纖維構成的納米多孔膜;所制備的氧化錳膜均為非晶相。電化學測試表明所制備的氧化錳膜電極具有較好的電容性能,其中在0.5V(vs.SCE)沉積的氧化錳膜比電容最高,在0.3mA/cm^2的充放電電流密度下高達189F/g,電流密度增加到10mA/cm^2時比電容為83F/g。
