編號(hào)：CPJS06238
篇名：納米硅/導(dǎo)電聚合物復(fù)合負(fù)極的制備與性能
作者：陳啟多 韓凱 程君 葉紅齊
關(guān)鍵詞： 鋁硅合金粉 酸蝕法 納米硅 導(dǎo)電聚合物 負(fù)極材料
機(jī)構(gòu)： 中南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院 上海力信能源科技有限責(zé)任公司
摘要： 以商業(yè)低成本鋁硅合金粉為硅源,利用酸蝕法制備納米硅(Si)顆粒,通過(guò)原位聚合法制得3種納米硅/導(dǎo)電聚合物復(fù)合材料:硅/聚吡咯(Si@PPy)、硅/聚苯胺(Si@PANl)和硅/聚3,4-乙烯二氧噬吩(Si@PEDOT)等導(dǎo)電聚合物包覆不僅可為硅顆粒提供導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),而且能夠緩沖硅顆粒在充放電過(guò)程中的體積膨脹以500mA/g妁電流,在0.005-1.500V充放電,Si@PPy、Si@PANI和Si@PEDOT的首次可逆比容量分別為1526mAh/g、845mAh/g和592mAh/g,第100次循環(huán)的比容量分別為1265mAh/g,610mAh/g和558mAh/g,平均庫(kù)侖效率約99%,比容量與循環(huán)性能較未包覆的純硅得到改善.
