編號：NMJS06888
篇名：水熱法制備條件對ZnO納米線形貌影響
作者：孫宇琪 端木慶鐸
關(guān)鍵詞： 氧化鋅 納米線 水熱法 濃度
機構(gòu)： 長春理工大學(xué)理學(xué)院
摘要： 為了獲得最佳的ZnO納米線制備條件,本文通過實驗研究了水熱法制備ZnO納米線實驗中反應(yīng)物濃度及反應(yīng)時間對ZnO納米線形貌的影響。先采用sol-gel法在硅基底上進(jìn)行ZnO籽晶層的制備,再采用水熱法在籽晶層上進(jìn)行了ZnO納米線的生長,并通過掃描電子顯微鏡(SEM)進(jìn)行了形貌表征。實驗研究表明,當(dāng)濃度為0.05mol·L^-1,加熱時間5h,加熱溫度為160℃時,納米線陣列取向性一致,形貌較好。
