編號(hào)：NMJS06747
篇名：MoO_3修飾氧化石墨烯作為空穴注入層影響研究
作者：杜帥 張方輝
關(guān)鍵詞： 氧化石墨烯(GO) MOO3 空穴注入層 有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)
機(jī)構(gòu)： 陜西科技大學(xué)理學(xué)院
摘要： 研究了MoO3修飾氧化石墨烯（GO）作為空穴注入層的影響。采用旋涂的方法制備了GO,再真空蒸鍍修飾層MoO3,得到了空穴注入能力強(qiáng)和透過率高的復(fù)合薄膜。MoO3的厚分別采用0、3、5和8nm。通過優(yōu)化MoO3的厚度發(fā)現(xiàn),當(dāng)MoO3的厚為5nm時(shí),復(fù)合薄膜的透過率達(dá)到最大值,在550nm的光波長下透光率為88%,且此時(shí)采用復(fù)合薄膜作為空穴注入層制備的結(jié)構(gòu)為ITO/GO/MoO3（5nm）/NPB（40nm）/Alq3（40nm）/LiF（1nm）/Al（100nm）的有機(jī)電致發(fā)光器件（OLED）性能最佳。通過對(duì)OLED進(jìn)一步的優(yōu)化,改變Alq3的厚度,分別取50、60和70nm,測(cè)量其電壓、電流、亮度、色坐標(biāo)和電致發(fā)光（EL）光譜等參數(shù)發(fā)現(xiàn),當(dāng)Alq3的厚為50nm時(shí)器件性能最佳。最終制備了結(jié)構(gòu)為ITO/GO/MoO3（5nm）/NPB（50nm）/Alq3（50nm）/LiF（1nm）/Al（100nm）的OLED,在電壓為10V時(shí),最大電流效率達(dá)到5.87cd/A,與GO單獨(dú)作為空穴注入層制備的器件相比,提高了50%。
