Si~(4+)摻雜對(duì)BaZr(BO_3)_2:Eu熒光粉能量傳遞的影響

編號(hào)：FTJS00719

篇名：Si~(4+)摻雜對(duì)BaZr(BO_3)_2:Eu熒光粉能量傳遞的影響

作者：張忠朋; 李光旻; 張曉松; 徐生艷; 馬玢; 王蘭芳; 李嵐;

關(guān)鍵詞：BaZr(BO3)2:Eu熒光粉; 電荷遷移態(tài)(CTS); 強(qiáng)度參數(shù); 能量傳遞;

機(jī)構(gòu)： 天津理工大學(xué)材料物理研究所顯示材料與光電器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室天津市光電顯示材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 天津城市建設(shè)學(xué)院基礎(chǔ)部; 南開大學(xué)物理學(xué)院; 天津理工大學(xué)電信學(xué)院天津市薄膜電子與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;

摘要： 采用高溫固相法合成了Si4+摻雜的BaZr(BO3)2:Eu紅色發(fā)光熒光粉。激發(fā)光譜表明,不同Si4+摻雜濃度明顯使電荷遷移態(tài)(CTS)向高能量的位置移動(dòng),且改善了樣品的發(fā)光強(qiáng)度。分析認(rèn)為,這是由于Si4+的電負(fù)性大于所取代的Zr4+,且Si4+的進(jìn)入影響了Eu3+的配位數(shù),提高了CTS向發(fā)光中心的能量傳遞幾率。依據(jù)Judd-Ofelt理論計(jì)算的強(qiáng)度參數(shù)表明,隨著Si4+摻雜濃度的增加,Eu3+所處格位的對(duì)稱性明顯降低,增大了Eu3+的躍遷幾率,從而改善了發(fā)光強(qiáng)度。計(jì)算Eu3+間的能量傳遞幾率發(fā)現(xiàn),在摻雜濃度為5%時(shí),Eu3+間的能量傳遞幾率很小,其對(duì)熒光粉的發(fā)光影響不大。